赵毅

教授,博士生导师,“青年千人计划”入选者

教育经历
2004.10–2007.09,(日本)东京大学材料工程系,博士。
2000.09–2003.06,浙江大学硅材料国家重点实验室,硕士。
1996.09–2000.07,南京航空航天大学材料科学与工程系,本科。

研究工作经历
曾多年在美国IBM国际半导体研发联盟/Globalfoundries公司,(日本)东京大学从事先进集成电路器件与工艺方面的研究,在以下几个研究方向取得了突出成果:1)高性能锗,应力硅CMOS器件;2)用于先进CMOS器件的高介电常数(k)栅极介质;3)CMOS器件与工艺的可靠性。已多次在国际电子器件领域的权威会议IEEE IEDMVLSI Symposium上报告研究成果,以第一作者和通讯作者在IEEE Transaction on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters ,Applied Physics Letters等权威杂志上发表文章多篇。 2012年入选中组部“青年千人计划”,全职回国后,已在新沟道材料尤其是Ge和III-V族化合物沟道CMOS器件和工艺领域开展了大量的工作。

研究方向
新沟道材料(应变硅,锗,III-V)CMOS器件,工艺及相关物理现象。

电子邮箱:yizhao@zju.edu.cn

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