空格课题组长期招收博士后研究生和博士，硕士研究生。欢迎来实验室现场参观交流，或者来信来电咨询。

一、科研项目介绍

空格本课题组的研究主要集中在以下三个方向：

空格1. 新沟道材料（锗，三五族化合物等）CMOS器件与工艺；

空格主要围绕新沟道材料CMOS器件，在超薄EOT低界面态栅极、低阻超浅高质量源漏技术等方面开展研究。

空格2. 基于新沟道材料的新结构CMOS器件与工艺

空格在新沟道材料CMOS器件的基础上，我们结合新结构，研究绝缘层上超薄高迁移率沟道材料结构和FinFET等器件的制备以及相关的器件物理现象。

空格3. 先进纳米CMOS器件的器件物理与可靠性

空格结合应变技术的新结构器件和新沟道材料器件将是未来CMOS集成电路工艺中的主要技术手段。在新沟道材料时代，在传统硅时代的可靠性理论并不完全适用，尤其是已有的研究初步表明在新沟道材料（主要是锗和InGaAs） MOS器件中存在大量的陷阱中心，这对器件可靠性带来了极大的挑战，此外如何很好的定量表征这些陷阱也是非常重要的课题。我们结合超快速测试技术（皮秒级别），对新沟道材料/新结构CMOS器件的可靠性行为进行深入的研究。

空格更详细信息请见网站“研究领域”内容。

二、博士/硕士研究生招聘

空格我们欢迎优秀的校内校外学生申请我们系的保送生和考研生。每年学校和学系都会组织报名和面试（直博生：每年的9月底~10月初考研生：3月份左右，具体时间根据学系的安排决定），请有兴趣的同学提前和我们取得联系。目前课题组每年的招收名额大概如下：

空格直博生：1-2名/年

空格学术硕士：1-2名/年

空格专业硕士：2-3/年

空格要求：重点大学电子、物理、材料等相关专业的毕业生。对先进集成电路工艺与器件具有强烈的兴趣。

三、博士后招聘

空格总体招聘要求

空格1. 应具有电子工程，材料科学，物理，化学等相关专业的博士学位；在半导体工艺，半导体物理与器件等方面具有扎实的基础，年龄35周岁以下（外籍年龄可放宽到40周岁以下），身心健康。

空格2. 良好的英语读写能力，能用英文顺利进行学术论文写作和学术交流。

空格博士后待遇（摘自系网站）

空格浙江大学博士后待遇大致如下：

空格①常规博士后类型：

空格待遇标准：不分国籍，基础薪金约6万/年+合作教授提供津贴4万/年起；符合总体招聘要求者均可。

空格②浙江大学择优资助海外博士后类型：

空格待遇标准：不分国籍，资助标准统一为10万/年+ 合作教授提供津贴（2万起/年），用于发放工资及办理基本保险、租房等。申请条件：1、年龄不超过35周岁；2、近三年内国外（境外）世界排名前100名的高校获得博士学位。

空格③国家博士后国际交流计划引进项目类型：

空格待遇标准：不分国籍，总资助金额为15-30万元，用于发放工资及办理基本保险、租房等，具体资助额度由校博后办管理办公室根据申请人的科研业绩等情况综合审核决定。申请条件：1、年龄不超过35周岁；2、近三年内国外（境外）世界排名前100名的高校获得博士学位；3、在读博士期间取得突出的研究成果。

四、申请材料

空格1. 博士/硕士研究生申请

空格中文个人简历（需含个人学习经历、本科阶段成绩单，英语水平、详细联系方式等，如已获得本科学校保送资格也请注明）

空格2. 博士后岗位申请

空格中英文个人简历（需含个人学习和工作经历、研究兴趣、研究成果列表，学位学历证书、英语水平、详细联系方式等）

五、联系方式

空格应聘者请将申请材料以附件形式发送到yizhao@zju.edu.cn，并注明“研究生申请”或者“博士后应聘”。

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